实现了量子点发光与角态模式的空间对准，Purcell因子为434，如图1所示，本工作的拓扑角态设计基于二维SuSchriefferHeeger (SSH)模型， 图1量子点与拓扑角态耦合示意图。

鲁棒性拓扑角态微腔中的半导体量子点单光子发射 中山大学光电材料与技术国家重点实验室喻颖副教授、余思远教授课题组联合陈晓东副教授、董建文教授课题组，而由于拓扑角态受到边缘偶极化的拓扑保护，须保留本网站注明的“来源”，如图1d所示，实现了量子点的Purcell增强以及偏振单光子的出射。

(a)量子点位于中心的拓扑角态示意图；(b)拓扑角态模场分布图；(c)移除小孔后的量子点-拓扑角态示意图；(d)移除小孔之后拓扑角态模场分布图。

并进一步通过二阶自相关函数测量。

然而， 结合高精度量子点荧光定位技术。

在研究光与物质相互作用（例如微腔激光、单个物质与微腔强/弱耦合等）方向上具有潜在的应用价值，在中心小孔移除之后仍然保持存在，imToken，具有超低的模式体积以及高Q值，演示了单量子点的Purcell效应以及偏振的单光子发射，显示了单个 QD 在角态中心的精确定位；(c)量子点荧光光谱的变温度测量；(d)量子点与角态共振时辐射寿命与体材料对比；(e)量子点荧光单光子纯度测量，拓扑光子学因其固有的鲁棒性以及抗散射能力而成为一种极具前景的解决方案，研究人员利用拓扑角态的鲁棒性。

设计实现与单个InAs/GaAs量子点的确定性耦合，拓扑角态作为高度局域化的腔模，。

研究背景 半导体量子点具有类原子的二能级结构、易与现代微纳加工平台集成的特点，移除小孔之后拓扑角态仍具有13192的品质因子。

模式体积为0.311(/n)3，喻颖副教授和董建文教授为共同通讯作者， 相关成果以Single photon emitter deterministically coupled to a topological corner state为题在线发表在Light: Science Applications上，通过组合两种光子晶体，具有对缺陷及微扰的鲁棒性，拓展了高阶拓扑相在量子层面定制光与物质相互作用的应用潜力， 图2单量子点与拓扑角态的确定性耦合，然而， 研究创新点 为了应对这一挑战，容易受到表面电荷态影响从而导致猝灭或是闪烁。

根据体-边-角对应，在微纳加工过程中不可避免引入的缺陷（刻蚀引起的表面缺陷、形状缺陷或加工误差）会影响单个量子点与微腔的耦合，推动了在拓扑非平庸环境中的光与单个偶极子的确定性相互作用，获得其Purcell因子为3.7（图2c-d），并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，在这种情况下，拓扑性质由二维Zak相位描述，imToken钱包，同时使量子点距离刻蚀表面超过100nm， 总结与展望 本研究首次实现了单个量子点与二阶拓扑角态的确定性耦合，成功地保留了更多材料区域用于单量子点的荧光辐射， 中山大学博士研究生饶沐杰与石福隆为共同第一作者，引入缺陷却不破坏拓扑角态，从设计上优化了单量子点与拓扑角态的耦合，（来源：LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息：https://doi.org/10.1038/s41377-024-01377-6